Publication list - Gabor Battistig

  1. Gyulai József, Battistig Gábor, Kiss Árpád Zoltán, Szilágyi Edit
    Georges Amsel (Amsel György) 1933–2017
    FIZIKAI SZEMLE 67:(4) pp. 110-114. (2017)
  2. Rakovics V, Nádas J, Réti I, Dücso C, Battistig G
    Growth and characterization of broad spectrum infrared emitting GaInAsP/InP heterostructures
    JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 468: pp. 572-575. (2017)
  3. Battistig G, Zolnai Z, Németh A, Panjan P, Menyhárd M
    Nanoscale SiC production by ballistic ion beam mixing of C/Si multilayer structures
    JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS 49:(18) Paper 185303. (2016)
    Függő idéző: 1 Összesen: 1
  4. Battistig G, Gurbán S, Sáfrán G, Sulyok A, Németh A, Panjan P, Zolnai Z, Menyhárd M
    Wafer-scale SiC rich nano-coating layer by Ar+ and Xe+ ion mixing
    SURFACE AND COATINGS TECHNOLOGY 302: pp. 320-326. (2016)
  5. Battistig Gábor, Zolnai Zsolt, Bársony István (szerk.)
    XXX. Eurosensors (absztrakt)
    Konferencia helye, ideje: Budapest, Magyarország, 2016.09.04 -2016.09.07.
    Budapest: Akadémiai Kiadó, 2016. 
    (ISBN:978-963-05-9765-4)
  6. István Bársony, Zsolt Zolnai, Gábor Battistig (szerk.)
    Procedia Engineering: Proceedings of the 30th anniversary Eurosensors Conference – Eurosensors 2016
    Konferencia helye, ideje: Budapest, Magyarország, 2016.09.04 -2016.09.07.
    Budapest: Elsevier; Akadémiai Kiadó, 2016. 1766 p. 
    ( 168. )
  7. János Radó, Csaba Dücső, Gábor Battistig, Gábor Szebényi, Péter Fürjes, Zbigniew Nawrat, Kamil Rohr
    3D force sensors for laparoscopic surgery tool
    In: B Charlot, Y Mita, P Nouet, F Pressecq, M Rencz, P Schneider, N Tas (szerk.)
    Proceedings of the Symposium on Design, Test, Integration and Packaging of MEMS/MOEMS (DTIP'16) . 347 p. 
    Konferencia helye, ideje: Budapest, Magyarország, 2016.05.30 -2016.06.02. New York: IEEE, 2016. Paper 7514829. 4 p. 
    (ISBN:978-1-5090-1505-4)
  8. G Z Radnóczi, E Dodony, G Battistig, N Vouroutzis, P Kavouras, J Stoemenos, N Frangis, A Kovács, B Pécz
    Structural characterization of nanostructures grown by Ni metal induced lateral crystallization of amorphous-Si
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 119:(6) Paper 065303. 16 p. (2016)
    Független idéző: 1 Összesen: 1
  9. J Radó, G Battistig, S Kuliniy, R Végvári, I Bársony
    Monitoring the tyre deformation on a vehicle on the run
    In: Battistig Gábor, Zolnai Zsolt, Bársony István (szerk.)
    XXX. Eurosensors (absztrakt) . Konferencia helye, ideje: Budapest, Magyarország, 2016.09.04 -2016.09.07. Budapest: Akadémiai Kiadó, 2016. Paper TL.AUTO-7-8568. 2 p. 
    (ISBN:978-963-05-9765-4)
  10. Rakovics Vilmos, Dücső Csaba, Réti István, Battistig Gábor
    Vízben oldott motorhajtóanyagok meghatározása UV abszorpció és lumineszcencia alapján
    In: Vonderviszt Ferenc, Bokrossy-Csiba Mária, Törcsváryné Kovács Zsuzsanna (szerk.)
    Műszaki Kémiai Napok 2016: Konferencia Kiadvány . 172 p. 
    Konferencia helye, ideje: Veszprém, Magyarország, 2016.04.26 -2016.04.28. Veszprém: Pannon Egyetem Műszaki Informatikai Kar Műszaki Kémiai Kutató Intézet, 2016. pp. 89-95. 
    (ISBN:978-963-396-087-5)
  11. J Volk, J Radó, I E Lukács, N Q Khánh, R Erdélyi, G Battistig, C Sturm, M Grundmann, A Graillot, C Loubat
    Integrated piezoelectric nanowire arrays for high resolution tactile mapping
    In: Battistig Gábor, Zolnai Zsolt, Bársony István (szerk.)
    XXX. Eurosensors (absztrakt) . Konferencia helye, ideje: Budapest, Magyarország, 2016.09.04 -2016.09.07. Budapest: Akadémiai Kiadó, 2016. Paper WL.PRO-4-8618. 2 p. 
    (ISBN:978-963-05-9765-4)
  12. Battistig G
    Introduction: REM7 - 2014
    RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS 170:(3) pp. 153-154. (2015)
  13. G Z Radnóczi, E Dodony, G Battistig, N Vouroutzis, J Stoemenos, N Frangis, A Kovács, B Pécz
    Electron microscopy study of Ni induced crystallization in amorphous Si thin films
    In: Stergios Logothetidis, Argirios Laskarakis, Christoforos Gravalidis (szerk.)
    INTERNATIONAL CONFERENCES AND EXHIBITION ON NANOTECHNOLOGIES & ORGANIC ELECTRONICS (NANOTEXNOLOGY 2014): AIP Conference Proceedings . Konferencia helye, ideje: Thessaloniki, Görögország, 2014.07.05 -2014.07.12. Thessaloniki: AIP Publishing, 2015. pp. 31-37. 
    1646. 
    (ISBN:978-0-7354-1285-9)
  14. Radó János, Dücső Csaba, Battistig Gábor, Fürjes Péter
    3D mikro-erőmérő sebészrobot alkalmazáshoz
    In: Szabó Péter János (szerk.)
    X. Országos Anyagtudományi Konferencia . Konferencia helye, ideje: Balatonalmádi, Magyarország, 2015.10.11 -2015.10.13. Budapest: Magyar Anyagtudományi Egyesület, 2015. pp. 140-141. 
    (ISBN:978-615-5270-20-8)
  15. Szilágyi E, Bányász I, Kótai E, Németh A, Major C, Fried M, Battistig G
    Determination of migration of ion-implanted Ar and Zn in silica by backscattering spectrometry
    RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS 170:(3) pp. 229-237. (2015)
  16. I Bársony, Cs Dücső, P Fürjes, F Riesz, Z Hajnal, G Battistig
    Membrane Platforms for Sensors
    PROCEDIA ENGINEERING 87: pp. 871-878. (2014)
    EUROSENSORS 2014, the 28th European Conference on Solid-State Transducers.
  17. T Kárpáti, S Kulinyi, R Végvári, J Ferencz, A Nagy, A E Pap, G Battistig
    Packaging of a 3-axial piezoresistive sensor with backside contacts
    MICROSYSTEM TECHNOLOGIES 20:(6) pp. 1063-1068. (2014)
    Függő idéző: 1 Összesen: 1
  18. Marton G, Fekete Z, Fiath R, Baracskay P, Ulbert I, Juhasz G, Battistig G, Pongracz A
    In vivo measurements with robust silicon-based multielectrode arrays with extreme shaft lengths
    IEEE SENSORS JOURNAL 13:(9) pp. 3263-3269. (2013)
    Független idéző: 2 Függő idéző: 6 Összesen: 8
  19. Abo S, Horiuchi H, Wakaya F, Battistig G, Lohner T, Takai M
    Time of flight elastic recoil detection analysis with toroidal electrostatic analyzer for ultra shallow dopant profiling
    SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS 44:(6) pp. 732-735. (2012)
    Független idéző: 2 Függő idéző: 2 Összesen: 4
  20. Attolini G, Bosi M, Watts BE, Battistig G, Dobos L, Pecz B
    The influence of C3H8 and CBr4 on structural and morphological properties of 3C-SiC layer
    MATERIALS SCIENCE FORUM 711: pp. 22-26. (2012)
  21. Battistig G
    Orientation dependent growth of SiC nanocrystals at the SiO2/Si interface
    THIN SOLID FILMS 520:(6) pp. 1973-1977. (2012)
  22. D Molnár, A Pongrácz, M Ádám, Z Hajnal, V Timárné, G Battistig
    Sensitivity tuning of A 3-axial piezoresistive force sensor
    MICROELECTRONIC ENGINEERING 90: pp. 40-43. (2012)
    Független idéző: 2 Függő idéző: 2 Összesen: 4
  23. Z Fekete, A. Pongracz, P. Furjes, G. Battistig
    Improved process flow for buried channel fabrication in silicon
    MICROSYSTEM TECHNOLOGIES 18:(3) pp. 353-358. (2012)
    Független idéző: 2 Függő idéző: 6 Összesen: 8
  24. Fürjes P, Fekete Z, Illés L, Tóth AL, Battistig G, Gyurcsányi RE
    Effects of the Focused Ion Beam parameters on nanopore milling in solid state membranes
    PROCEDIA ENGINEERING 47: pp. 684-687. (2012)
    Független idéző: 2 Függő idéző: 2 Összesen: 4
  25. T Kárpáti, A Pongrácz, S Kulinyi, R Végvári, A Nagy, A E Pap, G Battistig
    Packaging of a 3-axial Piezoresistive Force Sensor with Backside Contacts
    International Conference on Materials and Applications for Sensors and Transducers 2012, Budapest, Hungary, May 24-28, 2012 (2012)
  26. Kárpáti T, Pap A E, Ádám M, Ferencz J, Fürjes P, Battistig G, Bársony I
    Electrostatic force detection during anodic wafer bonding
    IEEE SENSORS PROCEEDINGS 2012: pp. 1368-1371. (2012)
    11th IEEE SENSORS 2012 Conference. Taipei, Tajvan: 2012.10.28 -2012.10.31.
  27. Kulinyi S, Vegvari R, Pongracz A, Nagy A, Karpati T, Adam M, Battistig G, Bársony I
    Flexible packaging for tyre integrated shear force sensor
    IEEE SENSORS PROCEEDINGS 2012: pp. 48-51. (2012)
    11th IEEE SENSORS 2012 Conference. Taipei, Tajvan: 2012.10.28 -2012.10.31. (ISBN 9781457717659)
  28. Marton G, Fekete Z, Bakos I, Battistig G, Pongracz A, Baracskay P, Juhasz G, Barsony I
    Deep-brain silicon multielectrodes with surface-modified Pt recording sites
    IEEE SENSORS PROCEEDINGS 2012: pp. 1156-1159. (2012)
    11th IEEE SENSORS 2012 Conference. Taipei, Tajvan: 2012.10.28 -2012.10.31. (ISBN 9781457717659)
  29. A Pongrácz, Z Fekete, G Marton, R Fiáth, P Fürjes, I Ulbert, G Battistig
    Deep-brain silicon multielectrodes for simultaneous neural recording and drug delivery.
    PROCEDIA ENGINEERING 47: pp. 281-284. (2012)
    26th European Conference on Solid-State Transducers, EUROSENSOR 2012. Krakkó, Lengyelország: 2012.09.09 -2012.09.12.
    Függő idéző: 1 Összesen: 1
  30. Szentpáli B, Matyi G, Fürjes P, László E, Battistig G, Bársony I, Károlyi G, Berceli T
    THERMOPILE-BASED THz ANTENNA
    MICROSYSTEM TECHNOLOGIES 18:(7-8) pp. 849-856. (2012)
    Független idéző: 2 Összesen: 2
  31. M Erinc, H.J. van de Wiel, R.J. Werkhoven, A. Pongracz, G. Battistig, H.R. Fischer
    Vibration characterization of a MEMS 3D force sensor
    In: IEEE (szerk.)
    Thermal, Mechanical and Multi-Physics Simulation and Experiments in Microelectronics and Microsystems (EuroSimE): 12th International Conference on . Konferencia helye, ideje: Linz, Ausztria, 2011.04.18 -2011.04.20. Seattle: IEEE, 2011. pp. 1-6. 
    (ISBN:978-1-4577-0107-8)
    Független idéző: 2 Összesen: 2
  32. Fekete Z, Holczer E., Vázsonyi É., Pongrácz A., Battistig G., Fürjes P.
    Surface modification of silicon by 3D etching processes and subsequent layer deposition
    EuroNanoForum, Budapest, Hungary 30 May – June 1 2011 (2011)
  33. Fiáth R, Grand L, Kerekes B P, Pongrácz A, Vázsonyi É, Márton G, Battistig G, István Ulbert
    A novel multisite silicon probe for laminar neural recordings
    PROCEDIA COMPUTER SCIENCE 7: pp. 310-311. (2011)
    Független idéző: 1 Összesen: 1
  34. Grand L, Pongrácz A, Vázsonyi E, Márton G, Gubán D, Fiáth R, Kerekes B P, Karmos G, Ulbert I, Battistig G
    A novel multisite silicon probe for high quality laminar neural recordings
    SENSORS AND ACTUATORS A-PHYSICAL 166:(1) pp. 14-21. (2011)
    Független idéző: 10 Függő idéző: 10 Összesen: 20
  35. Gyurcsanyi RE, Makra I, Jagerszki G, Bakk DT, Fekete Z, Battistig G, Barsony I, Furjes P
    Characterisation of solid-state gold nanopores applicable for biochemical sensing
    PROCEDIA ENGINEERING 25: pp. 904-907. (2011)
    25th Eurosensors Conference. Athén, Görögország: 2011.09.04 -2011.09.07.
  36. T Kárpáti, A Pongrácz, M Ádám, A Nagy, G Battistig
    M Menyhárd, Cs S Daróczi (szerk.)
    Glue free packaging development of the full membrane 3D force sensor using wafer bonding
    MTA MFA Yearbook 2011 (2011)
  37. Kárpáti T., Pongrácz A., Ádám M., Mohácsy T., Battistig G.
    Design and Development of a 3-Axial Pioresistive Force Sensor
    EuroNanoForum, Budapest, Hungary May 30 - Jun 1. 2011 (2011)
  38. Marton G, Pongracz A, Grand L, Vazsonyi E, Ulbert I, Karmos G, Fekete Z, Battistig G
    Neural signal recording with a novel multisite silicon probe
    EUROPEAN BIOPHYSICS JOURNAL 40:(Supplement 1) p. 229. (2011)
  39. Márton G, Pongrácz A., Grand L., Vázsonyi É., Fekete Z., Ulbert I., Karmos G., Battistig G.
    Formation of a Si based multisite neural probe with improved electrode impedance
    International Conference on Electrochemical Sensors, Dobogókö, Hungary, June 19–24, 2011 (2011)
  40. Pongrácz Anita, Battistig Gábor, Ulbert István, Vázsonyi Éva, Márton Gergely, Fekete Zoltán, Grand László
    Multifunkciós agyi elektródák kialakítása és alkalmazása: Irányváltások a mikroelektronikában
    MTA Műszaki Tudományok Osztálya, Elektronikus Eszközök és Technológiák Bizottsága rendezésében, 2011. 05. 12 (2011)
  41. Pongrácz Anita, Fürjes Péter, Battistig Gábor, Bársony István
    MEMS/BIOMEMS szerkezetek
    A mi világunk kémiája szimpózium, 2011. november 25., Budapest (2011)
  42. Szentpali Bela, Matyi Gabor, Fuerjes Peter, Laszlo Endre, Battistig Gabor, Barsony Istvan, Karolyi Gergely, Berceli Tibor
    THz detection by modified thermopile
    PROCEEDINGS OF SPIE - THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING 8066: Paper 80661R. 6 p. (2011)
    Függő idéző: 1 Összesen: 1
  43. Zolnai Z, Nagy N, Deak A, Battistig G, Kótai E
    Three-dimensional view of the shape, size, and atomic composition of ordered nanostructures by Rutherford backscattering spectrometry
    PHYSICAL REVIEW B 83:(23) Paper 233302. 4 p. (2011)
    Független idéző: 4 Függő idéző: 7 Összesen: 11
  44. Attolini G, Bosi M, Rossi F, Watts B E, Salviati G, Battistig G, Dobos L, Pécz B
    SiC epitaxial growth on Si(100) substrates using carbon tetrabromide
    MATERIALS SCIENCE FORUM 645-648: pp. 139-142. (2010)
    Függő idéző: 1 Összesen: 1
  45. D Beke, A Pongrácz, G Battistig, K Josepovits, B Pécz
    Selective Growth of Nanocrystalline 3C-SiC Thin Films on Si
    AIP CONFERENCE PROCEEDINGS 1292: pp. 23-26. (2010)
  46. D Molnar, A. Pongracz, M. Ádám, Z. Hajnal, V. Tímárné, G. Battistig
    Sensitivity tuning of a 3-axial piezoresistive force sensor
    Fourth International Conference "Micro&Nano2010" on Micro- Nanoelectronics, Nanotechnologies and MEMs NCSR Demokritos, Athens, 12-15 December 2010 (2010)
  47. Fekete Z, Fürjes P., Pongrácz A., Battistig G., Vázsonyi É., Gubán D.
    Development of 3D etching processes and subsequent layer deposition for surface modification of silicon
    Proceedings of Micromechanics Europe 2010. Enschede, Hollandia, 2010.09.27-2010.09.30. pp. 1-4. Paper A05 (2010)
  48. Fekete Z, Bozsóki I, Szabó T, Fürjes P, Battistig G, Bársony I
    Characterisation of sputtered TiN for hard coating of complex 3D silicon microstructures
    In: Proceedings of E-MRS 2010 Conference . Konferencia helye, ideje: Strasbourg, Franciaország, 2010.06.06 -2010.06.11. Paper L82.
  49. Fekete Z, Fürjes P, Pongrácz A, Battistig G, Vázsonyi É, Gubán D
    Development of 3D etching processes and subsequent layer deposition for surface modification of silicon
    In: Proceedings of Micromechanics Europe 2010 . Konferencia helye, ideje: Enschede, Hollandia, 2010.09.27 -2010.09.30. pp. 1-4.
  50. Grand L, Pongrácz A, Vázsonyi É, Márton G, Gubán D, Battistig G, Karmos Gy, Ulbert I
    A novel multisite silicon probe fabricated by using an economical wet etching process for high quality laminar neural recordings
    pp. P7-11. 
    IBRO International Workshop 2010, Pécs, Hungary, 21 Jan - 23 Jan, 2010. (2010)
  51. G Marton, L Grand, A Pongracz, E Vazsonyi, I Ulbert, D Guban, Gy Karmos, G Battistig
    Neural signal recording by carbon nanotube covered multisite silicon probe
    p. B91. p. 
    E-MRS 2010 Conference, Symposium B: Functional biointerfaces. Strasbourg, Franciaország, 2010.06.07-2010.06.11. 2010. Paper B91. (2010)
  52. Márton G, Pongrácz A, Grand L, Vazsonyi E, Ulbert I, Karmos G, Battistig G
    A novel multisite silicon probe for laminar neural recordings with improved electrode impedance.
    In: Leon Abelmann, Hans Groenland, Joost van Honschoten, Hein Verputten (szerk.)
    Proceedings of the 21st Micromechanics and Micro systems Europe Workshop: Abstracts . Konferencia helye, ideje: Enschede, Hollandia, 2010.09.26 -2010.09.29. Twente: University of Twente, 2010. pp. 201-203. 
    (ISBN:978 90 816737 1 6)
  53. Mizsei J, Pap AE, Gillemot K, Battistig G
    Effect of deuterium on passivation of Si surfaces
    APPLIED SURFACE SCIENCE 256:(19) pp. 5765-5770. (2010)
    Független idéző: 6 Függő idéző: 2 Összesen: 8
  54. Pécz B, Stoemenos J, Voelskow M, Skorupa W, Dobos L, Pongrcz A, Battistig G
    Ion implantation enhanced formation of 3C-SiC grains at the SiO <sub>2</sub>/Si interface after annealing in CO gas
    JOURNAL OF PHYSICS-CONFERENCE SERIES 209:(1) Paper 012045. 4 p. (2010)
    16th International Conference on Microscopy of Semiconducting Materials. Oxford, Egyesült Királyság / Anglia: 2009.03.17 -2009.03.20.
    Független idéző: 1 Függő idéző: 1 Összesen: 2
  55. A Pongrácz, G. Marton, L. Grand, É. Vázsonyi, I. Ulbert, G. Karmos, S. Wiebe, G. Battistig
    A novel multisite silicon probe for laminar neural recordings with improved electrode impedance
    21st Micromechanics and Micro systems Europe Workshop September 26-29, 2010 Enschede, The Netherlands, Paper ID:C07 (2010)
  56. Pongrácz A., Vázsonyi É., Grand L., Márton G., Battistig G., Ulbert I., Karmos G.
    Szilícium alapú sokcsatornás agyi elektródák fejlesztése
    Anyagtudományi Napok, 2010. Budapest (2010)
  57. Szentpáli B, Basa P, Fürjes P, Battistig G, Bársony I, Károlyi G, Berceli T, Rymanov V, Stöhr A
    Thermopile antennas for detection of millimeter waves
    APPLIED PHYSICS LETTERS 96:(13) Paper 133507. 3 p. (2010)
    Független idéző: 9 Függő idéző: 9 Összesen: 18
  58. Szentpáli B, Basa P, Fürjes P, Battistig G, Bársony I
    Thermopile as THz Detector
    In: IEEE (szerk.)
    2nd IEEE International Workshop on THz Radiation: Basic Research & Applications, TERA'2010 . Konferencia helye, ideje: Sevastopol, Ukrajna, 2010.09.12 -2010.09.14. Lviv: IEEE, 2010. pp. 275-277. 
    (ISBN:978-1-4244-8296-2)
  59. Szentpáli B, Basa P, Fürjes P, Battistig G, Bársony I, Károlyi G, Berceli T
    Millimeter wave detection by thermopile antenna
    PROCEDIA ENGINEERING 5: pp. 564-567. (2010)
    Eurosensor XXIV Conference.
    Független idéző: 1 Függő idéző: 1 Összesen: 2
  60. Ujhelyi F, Barócsi A, Dobos G, Erdei G, Kocsányi L, Lenk S, Richter P, Mocsár K, Nádudvari Gy, Somogyi A, Battistig G, Fried M, Pongrácz A
    A foto-modulált reflexió mérése és alkalmazása ion implantációval létrehozott rétegek minősítésére
    In: Ádám Péter, Mechler Mátyás Illés (szerk.)
    "Új fények a fizikában": Fizikus vándorgyűlés . 99 p. 
    Konferencia helye, ideje: Pécs, Magyarország, 2010.08.24 -2010.08.27. Budapest: Eötvös Loránd Fizikai Társulat (ELFT), pp. 69-70.
  61. Watts BE, Bosi M, Attolini G, Battistig G, Dobos L, Pecz B
    CBr4 as precursor for VPE growth of cubic silicon carbide
    CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY 45:(6) pp. 583-588. (2010)
    Független idéző: 1 Függő idéző: 1 Összesen: 2
  62. Zolnai Z, Deak A, Nagy N, Toth AL, Kotai E, Battistig G
    A 3D-RBS study of irradiation-induced deformation and masking properties of ordered colloidal nanoparticulate masks
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 268:(1) pp. 79-86. (2010)
    Független idéző: 5 Függő idéző: 14 Összesen: 19
  63. Bársony I, Deák A, Fürjes P, Battistig G
    Integrált (nano)érzékelés az analitika szolgálatában
    A XXI. század analitikai kihívásai - előadóülés az MTA-n (2009.05.08.) (2009)
  64. Cavellin CD, Trimaille I, Ganem JJ, D Angelo M, Vickridge I, Pongracz A, Battistig G
    An O-18 study of the interaction between carbon monoxide and dry thermal SiO2 at 1100 degrees C
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 105:(3) Paper 033501. 7 p. (2009)
    Független idéző: 3 Függő idéző: 7 Összesen: 10
  65. Deák András, Fürjes Péter, Battistig Gábor, Bársony István
    Integrált (nano)érzékelés az analitika szolgálatában
    MAGYAR KÉMIAI FOLYÓIRAT 115:(1) pp. 18-21. (2009)
  66. Fried M, Juhasz G, Major C, Petrik P, Battistig G
    Homogeneity check of ion implantation in silicon by wide-angle ellipsometry
    In: IEEE (szerk.)
    Advanced Thermal Processing of Semiconductors: Proceedings of the 17th International Conference, RTP 2009 . Konferencia helye, ideje: Albany, Amerikai Egyesült Államok, 2009.09.29 -2009.10.02. New York: IEEE, 2009. Paper 5373448. 4 p. 
    (ISBN:978-1-4244-3814-3)
  67. Lopez JG, Morilla Y, Cheang-Wong JC, Battistig G, Zolnai Z, Cantin JL
    Dynamic annealing study of SiC epilayers implanted with Ni ions at different temperatures
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 267:(7) pp. 1097-1100. (2009)
  68. Pap AE, Nényei Zs, Kamarás K, Battistig G, Bársony I
    HF/heavy water vapor cleaning and passivation of Si surface,
    In: Jingsi Huo, Yan Xiao, Zongjin Li, Shuaib Ahmad (szerk.)
    9th International Symposium on Ultra Clean Processing of Semiconductor Surfaces . Konferencia helye, ideje: Brugge, Belgium, 2008.09.22 -2008.09.24. Zürich: Trans Tech Publications, 2009. pp. 138-139. 
    (ISBN:3-908451-64-7)
  69. Pap AE, Nenyei Z, Battistig G, Barsony I
    Silicon surface preparation and passivation by vapor phase of heavy water
    SOLID STATE PHENOMENA 145-146: pp. 181-184. (2009)
    Függő idéző: 1 Összesen: 1
  70. Pécz B, Stoemenos J, Voelskow M, Skorupa W, Dobos L, Pongrácz A, Battistig G
    Epitaxial 3C-SiC nanocrystal formation at the SiO2/Si interface by combined carbon implantation and annealing in CO atmosphere
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 105:(8) Paper 083508. 8 p. (2009)
  71. Petrik P, Szilagyi E, Lohner T, Battistig G, Fried M, Dobrik G, Biro LP
    Optical models for ultrathin oxides on Si- and C-terminated faces of thermally oxidized SiC
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 106:(12) Paper 123506. 5 p. (2009)
    Független idéző: 3 Függő idéző: 4 Összesen: 7
  72. Pongracz A, Hoshino Y, D Angelo M, Cavellin C D, Ganem J -J, Trimaille I, Battistig G, Josepovits K V, Vickridge I
    Isotopic tracing study of the growth of silicon carbide nanocrystals at the SiO<sub>2</sub> /Si interface by CO annealing
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 106:(2) Paper 024302. 5 p. (2009)
    Független idéző: 2 Függő idéző: 7 Összesen: 9
  73. Barradas NP, Arstila K, Battistig G, Bianconi M, Dytlewski N, Jeynes C, Kotai E, Lulli G, Mayer M, Rauhala E, Szilagyi E, Thompson M
    Summary of "IAEA intercomparison of IBA software"
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 266:(8) pp. 1338-1342. (2008)
    Független idéző: 20 Függő idéző: 27 Összesen: 47
  74. P Fürjes, I Rajta, G Battistig, I Bársony, Cs Dücső
    Integrated Micro-Membranes by high energy He+ or H+ Implantation and Electrochemical Etching
    In: Gerald Gerlach (szerk.)
    Proceedings of the Eurosensors XXII - 22nd Conference European Conference on Solid-State Transducers . Konferencia helye, ideje: Dresden, Németország, 2008.09.07 -2008.09.10. Dresden: VDI Verlag, 2008. Paper n.a. 
    (ISBN:978-3-00-025217-4)
  75. P Fürjes, I Rajta, G Battistig, Cs Dücső, Z Fekete, I Bársony
    Integrated micro-membranes by high energy H+ or He implantation and electrochemical etching
    In: Eurosensors XXII . Konferencia helye, ideje: Dresden, Németország, 2008.09.07 -2009.09.10. Paper T3-02.13.
  76. Gyulai J, Battistig G, Lohner T, Hajnal Z
    Wedge etching by anodic oxidation and determination of shallow boron profile by ion beam analysis
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 266:(8) pp. 1434-1438. (2008)
    Független idéző: 1 Összesen: 1
  77. T Lohner, Z Zolnai, P Petrik, G Battistig, J Garcia Lopez, Y Morilla, A Koós, Z Osváth, M Fried
    Complex dielectric function of ion implantation amorphized SiC determined by spectroscopic ellipsometry
    PHYSICA STATUS SOLIDI C-CONFERENCES AND CRITICAL REVIEWS 5:(5) pp. 1374-1377. (2008)
    4th International Conference on Spectroscopic Ellipsometry (ICSE4).
    Független idéző: 1 Függő idéző: 2 Összesen: 3
  78. A E Pap, Cs Dücső, K Kamarás, G Battistig, I Bársony
    Heavy water in gate stack processing
    MATERIALS SCIENCE FORUM 573-574: pp. 119-131. (2008)
    Függő idéző: 1 Összesen: 1
  79. Pap AE, Petrik P, Pécz B, Battistg G, Bársony I, Szekrényes Zs, Kamarás K, Schay Z, Nényei Zs
    Si surface preparation and passivation by vapor phase of heavy water
    In: Lojek B, Privitera V, Gelpey J, Suguro K (szerk.)
    Advanced Thermal Processing of Semiconductors: RTP 2008. 16th IEEE International Conference . 278 p. 
    Konferencia helye, ideje: Las Vegas, Amerikai Egyesült Államok, 2008.09.30 -2008.10.03. Las Vegas: IEEE, 2008. pp. 219-228. 
    ( IEEE Proceedings ) 
    (ISBN:978-1-4244-1950-0)
    Független idéző: 1 Összesen: 1
  80. Szilagyi E, Petrik P, Lohner T, Koos AA, Fried M, Battistig G
    Oxidation of SiC investigated by ellipsometry and Rutherford backscattering spectrometry
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 104:(1) Paper 014903. 7 p. (2008)
    Független idéző: 19 Függő idéző: 5 Összesen: 24
  81. Amsel G, Battistig G, Samuel D, Ortega C, Ganem JJ, Rigo S, Trimaille I
    Handling, purification and recovery of isotopically enriched water or gases for isotopic tracing experiments with ion beam analysis in electrochemistry and physics
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 255:(2) pp. 423-434. (2007)
    Függő idéző: 1 Összesen: 1
  82. Barradas NP, Arstila K, Battistig G, Bianconi M, Dytlewski N, Jeynes C, Kotai E, Lulli G, Mayer M, Rauhala E, Szilagyi E, Thompson M
    International Atomic Energy Agency intercomparison of ion beam analysis software
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 262:(2) pp. 281-303. (2007)
    Független idéző: 40 Függő idéző: 42 Összesen: 82
  83. Basa P, Horvath ZsJ, Battistig G, Molnar G, Pap AE, Jaszi T
    Electrical and memory behaviour of Ge nanocrystals embedded in MNOS structures
    p. 58. p. 
    3rd Int. Workshop on Semiconductor Nanostructures, SEMINANO'07, June 13-16, 2007, Bad Honnef, Germany (2007)
  84. Hámori András, Battsitig Gábor, Szabó Imre, Veresné Vörös Katalin, Vértesy Gábor
    Eljárás integrált optikai elem gyártására, valamint hullámhossz-szelektív elem, különösen sokcsatornás hullámosztott multiplexáló-rendszerekhez
    NSZO: G02B 6/13
    Lajstromszám: 225575
    Ügyszám: P9904539
    Benyújtás éve: 1999. 
    Közzététel éve: 2007
    Benyújtás helye: Magyarország
  85. Pap AE, Battistig G, Ducso C, Barsony I, Kamaras K
    Sacrificial deuterium passivation for improved interface engineering in gate stack processing
    In: IEEE (szerk.)
    15th IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors . Konferencia helye, ideje: Catania, Olaszország, 2007.10.02 -2007.10.05. New York: IEEE, 2007. pp. 57-63. 
    (ISBN:978-1-4244-1227-3)
    Függő idéző: 1 Összesen: 1
  86. Pongrácz A, Battistig G, Dücso Cs, Josepovits K V, Deák P
    Structural and electronic properties of Si/SiO<sub>2</sub> MOS structures with aligned 3C-SiC nanocrystals in the oxide
    MATERIALS SCIENCE & ENGINEERING C-MATERIALS FOR BIOLOGICAL APPLICATIONS 27:(5-8) pp. 1444-1447. (2007)
    Független idéző: 1 Függő idéző: 5 Összesen: 6
  87. Zolnai Z, Khánh NQ, Battistig G
    A csatornahatás szerepe ionsugaras analitikai és ionimplantációs kísérletekben
    FIZIKAI SZEMLE 57:(9-10) pp. 305-309. (2007)
  88. Zolnai Z, Ster A, Khanh NQ, Battistig G, Lohner T, Gyulai J, Kotai E, Posselt M
    Damage Accumulation in Nitrogen Implanted 6H-SiC: Dependence on the Direction of Ion Incidence and on the Ion Fluence
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 101:(2) Paper 023502. 11 p. (2007)
    Független idéző: 15 Függő idéző: 2 Összesen: 17
  89. Battistig G, Khanh NQ, Petrik P, Lohner T, Dobos L, Pecz B, Lopez JG, Morilla Y
    A View of The Implanted SiC Damage by Rutherford Backscattering Spectroscopy, Spectroscopic Ellipsometry, And Transmission Electron Microscopy
    JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 100:(9) Paper 093507. 5 p. (2006)
    Független idéző: 9 Függő idéző: 1 Összesen: 10
  90. Pongracz A, Battistig G, Toth A L, Makkai Z, Ducso C, Josepovits K V, Barsony I
    Nucleation of SiC nanocrystals at the Si/SiO2 interface: Effect of the interface properties
    JOURNAL DE PHYSIQUE IV 132: pp. 133-136. (2006)
    Független idéző: 3 Függő idéző: 3 Összesen: 6
  91. Pongrácz Anita, V. Josepovits K., Battistig G., Makkai Zs., H. Krafcsik O., Tóth A.
    Köbös SiC nanoszemcsék epitaxiális növesztése Si-ra
    In: Budapesti Műszaki Főiskola Kandó Kálmán Villamosmérnöki Főiskolai Kar (szerk.)
    Kandó conference 2006 : in memoriam Kandó Kálmán: Budapest Tech Kandó Kálmán Faculty of Electrical Engineering . 76 p. 
    Konferencia helye, ideje: Budapest, Magyarország, 2006.01.12 -2006.01.13. Budapest: BMF, 2006. pp. 1-4. 
    (ISBN:9637154426)
  92. Amsel G, Battistig G
    The impact on materials science of ion beam analysis with electrostatic accelerators
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 240:(1-2) pp. 1-12. (2005)
    Független idéző: 16 Összesen: 16
  93. Horváth ZJ, Demidov ES, Ivin CV, Ivina NL, Potapov AV, Tolomasov VA, Vdovin VI, Basa P, Pongrácz A, Battistig G, Bársony I, Czigány Z, Vázsonyi EB, Ádám M, Jarrendähl K, Vida G, Orlov LK, Balázs J, Dózsa L, Krafcsik OH, Molnár G, Pődör B, Szabó I, Vo Van Tuyen
    Electrical pecularities in Si based low dimensional structures
    In: E Czoboly (szerk.)
    Engineering Aspects of Nanomaterials and Technologies: Proceedings of the Hungarian-Korean Joint Seminar . Konferencia helye, ideje: Budapest, Magyarország, 2005.01.24 -2005.01.27. pp. 253-262.
  94. Morilla Y, García López J, Battistig G, Cantin JL, Cheang-Wong JC, von Bardeleben HJ, Respaldiza MA
    RBS-Channeling and EPR Studies of Damage in 2 MeV Al2+-implanted 6H-SiC Substrates
    MATERIALS SCIENCE FORUM 483-485: pp. 291-294. (2005)
    Független idéző: 1 Függő idéző: 1 Összesen: 2
  95. A Pongrácz, O.H. Krafcsik, G. Battistig, Zs. Makkai, A. L. Tóth, B. Pécz, K. V. Josepovits, L. Dózsa, P. Deák
    Effect of CO annealing at the Si/SiO2 interface
    Carbon Materials Theoretical and Experimental Aspects - International Symposium 2005, Budapest, Hungary (2005)
  96. A Pongrácz, A. L. Tóth, G. Battistig, Zs. Makkai, É. Vázsonyi, V. Josepovits K., I. Eördögh
    Nucleation of SiC nanocrystals at the Si/SiO2 interface: effect of the substrate orientation
    Hungarian Nanotechnology Symposium, 21-22 March 2005 (HUNS 2005), Budapest, Hungary (2005)
  97. A Pongrácz, A.L. Tóth, G. Battistig, Zs. Makkai, É. Vázsonyi, V. Josepovits K., I. Eördögh
    Nucleation of SiC nanocrystals at the Si/SiO2 interface: effect of the interface properties
    10th International Conference on Formation of Semiconductor Interfaces, Aix-en-Provence, France, July 3-8 (2005)
  98. A Pongrácz, A. L. Tóth, G. Battistig, É. Vázsonyi, Cs. Dücső, Zs. Makkai, V. Josepovits K., I. Bársony
    Formation of SiC nanocrystals at the Si/SiO2 interface: effect of the interface properties
    XXXIV International School on the Physics of Semiconducting Compounds "Jaszowiec 2005" June 4-10, 2005, Jaszowiecz, Poland (2005)
  99. Schiller R, Battistig G, Rabani J
    Reversible electrochemical coloration of indium-tin-oxide (ITO) in aqueous solutions
    RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY: THE JOURNAL FOR RADIATION PHYSICS RADIATION CHEMISTRY AND RADIATION PROCESSING 72:(2-3) pp. 217-223. (2005)
    Független idéző: 13 Összesen: 13
  100. Zolnai Z, Ster A, Khanh NQ, Kotai E, Posselt MH, Battistig G, Lohner T, Gyulai J
    Nipoti R Poggi A Scorzoni A (szerk.)
    Ion beam analysis and computer simulation of damage accumulation in nitrogen implanted 6H-SIC: Effects of channeling
    MATERIALS SCIENCE FORUM 483-485: pp. 637-640. (2005)
    Független idéző: 1 Összesen: 1
  101. Zoltán Hajnal, Anita Pongrácz, Gábor Battistig
    Models of regular defect structures at low index SiC/Si interfaces
    First International Workshop on Semiconductor Nanocrystals, SEMINANO2005, September 10-12, Budapest, Hungary (2005)
  102. Amsel G, Battistig G, L Hoir A
    Paradoxical features of small angle multiple scattering in matter and their implications in depth profiling with IBA
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 219: pp. 1037-1042. (2004)
    Független idéző: 4 Összesen: 4
  103. Battistig G, Lopez JG, Morilla Y, Khanh NQ, Lohner T, Petrik P, Ramos AR
    Effect of ion current density on damage in Al ion implanted SiC
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 219: pp. 652-655. (2004)
    Független idéző: 1 Függő idéző: 2 Összesen: 3
  104. G Nagy, J Balog, Zs Kerner, A Horvath, G Battistig, Robert Schiller
    Materials testing and corrosion investigations at KFKI AEKI Materials Department
    In: Proceedings of the Enlarged Halden Programme Group Meeting, Sandefjord, Norway, 9-14 May, 2004, . Konferencia helye, ideje: Sandefjord, Norvégia, 2004.05.09 -2004.05.14. Paper CD-Book F1.5.
  105. Petrik P, Shaaban E R, Lohner T, Battistig G, Fried M, Lopez J G, Morilla Y, Polgar O, Gyulai J
    Ion implantation-caused damage in SiC measured by spectroscopic ellipsometry
    THIN SOLID FILMS 455: pp. 239-243. (2004)
    Független idéző: 2 Függő idéző: 2 Összesen: 4
  106. Ponce A, Molina SI, Garcia-Lopez J, Battistig G
    Comparison of the thickness determined by Fresnel contrast and Rutherford backscattering spectrometry in ultra-thin layers
    INSTITUTE OF PHYSICS CONFERENCE SERIES 180: pp. 305-308. (2004)
    MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS 2003. (ISBN 0-7503-0979-2)
  107. A Pongracz, A L Tóth, Zs Makkai, G Battistig, B Pécz, I Barsony, P Deak
    Control of the nucleation density of SiC nanocrystals at the Si/SiO2 interface
    Fifth Int. Conf. on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems ASDAM '04, Smolenice, Szlovákia (2004)
  108. Trimaille I, Ganem JJ, Vickridge IC, Rigo S, Battistig G, Szilagyi E, Baumvol IJ, Radtke C, Stedile FC
    Thermal oxidation of 6H-SiC studied by oxygen isotopic tracing and narrow nuclear resonance profiling: Proceedings of the Sixteenth International Conference on Ion
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 219-220: pp. 914-918. (2004)
    Független idéző: 10 Függő idéző: 8 Összesen: 18
  109. Amsel G, Battistig G, L Hoir A
    Small angle multiple scattering of fast ions, physics, stochastic theory and numerical calculations
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 201:(2) pp. 325-388. (2003)
    Független idéző: 51 Függő idéző: 3 Összesen: 54
  110. Battistig G, Labar JL, Gurban S, Sulyok A, Menyhard M, Vickridge IC, Szilagyi E, Malherbe J, Odendaal Q
    Polarity dependent carbon enrichment on 6H-SiC {0001} due to low energy ion bombardment
    SURFACE SCIENCE 526:(1-2) pp. L133-L136. (2003)
    Független idéző: 10 Függő idéző: 3 Összesen: 13
  111. Battistig G, Lopez JG, Khanh NQ, Morilla Y, Respaldiza MA, Szilagyi E
    Bergman P Janzen E (szerk.)
    High-sensitivity ion beam analytical method for studying ion-implanted SiC
    MATERIALS SCIENCE FORUM 433-436: pp. 625-628. (2003)
    Független idéző: 1 Függő idéző: 5 Összesen: 6
  112. Deak P, Gali A, Solyom A, Ordejon P, Kamaras K, Battistig G
    Studies of boron-interstitial clusters in Si
    JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 15:(29) pp. 4967-4977. (2003)
    Független idéző: 7 Függő idéző: 3 Összesen: 10
  113. Nagy G, Balog J, Battistig G, Pintér-Csordás A, Kerner Zs, Pajkossy T, Schiller R
    Hydrothermal Growth and Investigation of Oxide Layer on Zr-1%Nb
    In: EUROCORR 2003 : Annual conference of the European Federation of Corrosion: Book of Abstracts . Konferencia helye, ideje: Budapest, Magyarország, 2003.09.28 -2003.10.02. p. 95.
    Független idéző: 1 Összesen: 1
  114. Vickridge IC, Tromson D, Trimaille I, Ganem JJ, Szilagyi E, Battistig G
    Oxygen isotopic exchange occurring during dry thermal oxidation of 6H SiC
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 190:(1-4) pp. 574-578. (2002)
    15th International Conference on Ion-Beam Analysis (IBA-15): 12th AINSE Conference on Nuclear Techniques of Analysis (NTA-12).
    Független idéző: 16 Függő idéző: 9 Összesen: 25
  115. Liszkay L, Havancsak K, Barthe MF, Desgardin P, Henry L, Kajcsos Z, Battistig G, Szilagyi E, Skuratov VA
    Triftshauser W Kogel G Sperr P (szerk.)
    Swift heavy ion irradiation effects in SiC measured by positrons
    MATERIALS SCIENCE FORUM 363-365: pp. 123-125. (2001)
    12th International Conference on Positron Annihilation. München, Németország:
    Független idéző: 2 Függő idéző: 6 Összesen: 8
  116. Nagy G, Kerner Z, Battistig G, Pinter-Csordas A, Balogh J, Pajkossy T
    Oxide layers of Zr-1% Nb under PWR primary circuit conditions
    JOURNAL OF NUCLEAR MATERIALS 297:(1) pp. 62-68. (2001)
    Független idéző: 8 Függő idéző: 6 Összesen: 14
  117. Pászti F, Manuaba A, Horváth ZE, Szilágyi E, Battistig G
    Ion Beam Induced Pore Structure Changes In Porous silicon
    In: Morgan IL, Duggan JL, Hall M (szerk.)
    The CAARI 2000: Sixteenth international conference on the application of accelerators in research and industry . Konferencia helye, ideje: Denton, Amerikai Egyesült Államok, 2000.11.01 -2000.11.05. College Park (MD): American Institute of Physics, 2001. pp. 919-923. 
    ( AIP Conference Proceedings; 576. ) 
    (ISBN:0-7354-0015-6)
  118. Szilagyi E, Khanh NQ, Horvath Z E, Lohner T, Battistig G, Zolnai Z, Kotai E, Gyulai J
    Ion bombardment induced damage in silicon carbide studied by ion beam analytical methods
    MATERIALS SCIENCE FORUM 353-356: pp. 271-274. (2001)
    Függő idéző: 6 Összesen: 6
  119. Paszti F, Szilagyi E, Manuaba A, Battistig G
    Application of resonant backscattering spectrometry for determination of pore structure changes
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 161-163: pp. 963-968. (2000)
    Független idéző: 2 Függő idéző: 6 Összesen: 8
  120. Paszti F, Battistig G
    Ion beam characterisation and modification of porous silicon
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 182:(1) pp. 271-278. (2000)
    Független idéző: 3 Függő idéző: 1 Összesen: 4
  121. Ramos AR, Conde O, Paszti F, Battistig G, Vazsonyi E, da Silva MR, da Silva MF, Soares JC
    Ion beam synthesis of chromium silicide on porous silicon
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 161: pp. 926-930. (2000)
    Független idéző: 3 Függő idéző: 5 Összesen: 8
  122. Szilágyi E, Becze-Deák T, Bottyán L, Kocsonya A, Kótai E, Nagy DL, Kling A, Battistig G, Khánh NQ, Polgár K
    Lattice site determination of Co in low doped congruent LiNbO3 single crystal using PIXE/channeling
    SOLID STATE COMMUNICATIONS 115: pp. 535-538. (2000)
    Független idéző: 2 Függő idéző: 3 Összesen: 5
  123. Szilágyi E, Kótai E, Khánh NQ, Zolnai Z, Battistig G, Lohner T, Gyulai J
    Ion Implantation Induced Damage in Silicon Carbide Studied by Non-Rutherford Elastic Backscattering
    In: Ryssel H, Frey L, Gyulai J, Glawischnig H (szerk.)
    Proceedings of the 13th International Conference on Ion Implantation Technology (IIT 2000) . 829 p. 
    Konferencia helye, ideje: Alpbach, Ausztria, 2000.09.17 -2000.09.22. Piscataway: IEEE, 2000. pp. 131-134. 
    (ISBN:0-7803-6462-7)
    Független idéző: 1 Függő idéző: 5 Összesen: 6
  124. Vazsonyi E, Battistig G, Horvath ZE, Fried M, Kadar G, Paszti F, Cantin JL, Vanhaeren D, Stalmans L, Poortmans J
    Pore propagation directions in p(+) porous silicon
    JOURNAL OF POROUS MATERIALS 7:(1-3) pp. 57-61. (2000)
    Független idéző: 3 Összesen: 3
  125. Vickridge I C, Ganem J J, Trimaille I, Battistig G, Szilágyi E
    Oxydation thermique de 6H SiC (0001) et (000-1) en O<sub>2</sub> ultra-pur: Une étude par traçage avec isotopes stables
    VIDE-SCIENCE TECHNIQUE ET APPLICATIONS 56:(298) pp. 488-496. (2000)
  126. Vickridge IC, Ganem JJ, Battistig G, Szilagyi E
    Oxygen isotopic tracing study of the dry thermal oxidation of 6H SiC
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 161-163: pp. 462-466. (2000)
    Független idéző: 10 Függő idéző: 13 Összesen: 23
  127. Von Bardeleben H J, Cantin J L, Vickridge I, Battistig G
    Proton-implantation-induced defects in n-type 6H- and 4H-SiC: An electron paramagnetic resonance study
    PHYSICAL REVIEW B 62:(15) pp. 10126-10134. (2000)
    Független idéző: 49 Függő idéző: 4 Összesen: 53
  128. Heier J, Kramer EJ, Révész P, Battistig G, Bates FS
    Spinodal decomposition in a subsurface layer of a polyner blend film
    MACROMOLECULES 32:(11) pp. 3758-3765. (1999)
    Független idéző: 33 Összesen: 33
  129. Horvath ZE, Peto G, Paszti Z, Zsoldos E, Szilagyi E, Battistig G, Lohner T, Molnar GL, Gyulai J
    Enhancement of oxidation resistance in Cu and Cu(Al) thin layers
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 148:(1-4) pp. 868-871. (1999)
    11th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM98). Amszterdam, Hollandia: 1998.08.31 -1998.09.04.
    Független idéző: 27 Függő idéző: 1 Összesen: 28
  130. Pászti F, Szilágyi E, Manuaba A, Horváth ZE, Battistig G, Hajnal Z, Vázsonyi É
    Pore structure determination in porous silicon by resonant ion backscattering spectrometry
    In: Anon (szerk.)
    Ion and Slow Positron Beam Utilization: Proceedings of the Workshop . Konferencia helye, ideje: Costa da Caparica, Portugália, 1998.09.15 -1998.09.17. France: OECD Publishing, 1999. pp. 145-155. 
    (ISBN:789264172999)
    Függő idéző: 5 Összesen: 5
  131. Szilágyi E, Battistig G, Hajnal Z, Manuaba A, Pászti F
    Porózus anyagok vizsgálata ionsugaras módszerekkel
    FIZIKAI SZEMLE 49:(4) pp. 121-123. (1999)
  132. Amsel G, D Artemare E, Battistig G, Girard E, Gosset L G, Révész P
    Narrow nuclear resonance position or cross section shape measurements with a high precision computer controlled beam energy scanning system
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 136-138: pp. 545-550. (1998)
    Független idéző: 6 Függő idéző: 3 Összesen: 9
  133. Zs Makaró, Cs Dücső, G Battistig, Zs Horváth, J Likonen, Bársony I
    Backside aluminization effects on solar cell performance: 7th Joint Vacuum Conference of Hungary, Austria, Croatia and Slovenia JVC-7, Debrecen, Hungary
    (1998)
  134. Makaro Zs, Battistig G, Horvath ZsE, Likonen J, Barsony I
    Backside aluminisation effects on solar cell performance
    VACUUM 50:(3-4) pp. 481-485. (1998)
    Független idéző: 4 Összesen: 4
  135. Manuaba A, Paszti F, Battistig G, Ortega C, Grosman A
    Grazing irradiation of porous silicon by 500 keV He ions
    VACUUM 50:(3-4) pp. 349-351. (1998)
    Független idéző: 2 Függő idéző: 4 Összesen: 6
  136. Paszti F, Szilagyi E, Horvath ZE, Manuaba A, Battistig G, Hajnal Z, Vazsonyi E
    Morphological investigation of porous samples by resonant backscattering spectrometry
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 136-138: pp. 533-539. (1998)
    13th International Conference on Ion Beam Analysis (IBA-13). Lisbon, Portugália: 1997.07.27 -1997.08.01.
    Független idéző: 13 Függő idéző: 9 Összesen: 22
  137. Amsel G, d'Artemare E, Battistig G, Morazzani V, Ortega C
    A characterisation of the morphology of porous silicon films by proton energy loss fluctuation measurements with a narrow resonance in the 15N(p,αγ)12C reaction
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 122:(1) pp. 99-103. (1997)
    Független idéző: 12 Függő idéző: 13 Összesen: 25
  138. Hajnal Z, Battistig G, Amsel G, Ortega C
    Fluctuations des quantités de matiere rencontrées le long de leur trajectoires par des particules chargées dans le silicium poreux
    In: Depondt P, Ghazali A, Lemaistre JP, Lévy JCS (szerk.)
    Journées simulation numérique, matière condensée et désordre No 3 . Konferencia helye, ideje: Paris, Franciaország, 1997.06.05 -1997.06.06. Paris: Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Paper na. 2 p.
  139. Manuaba A, Pinter I, Szilagyi E, Battistig G, Ortega C, Grosman A, Amsel G
    Balogh AG Walter G (szerk.)
    Plasma immersion ion implantation of nitrogen into porous silicon layers
    MATERIALS SCIENCE FORUM 248-249: pp. 233-236. (1997)
    Független idéző: 3 Függő idéző: 2 Összesen: 5
  140. Battistig G, Schiller V, Szilagyi E, Vazsonyi E
    Channeling experiments on porous silicon before and after implantation
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 118:(1-4) pp. 654-658. (1996)
    Független idéző: 2 Függő idéző: 3 Összesen: 5
  141. Hajnal Z, Szilagyi E, Paszti F, Battistig G
    Channeling-like effects due to the macroscopic structure of porous silicon
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 118:(1-4) pp. 617-621. (1996)
    Ion Beam Analysis. Lisbon, Portugália: 1996
    Független idéző: 21 Függő idéző: 15 Összesen: 36
  142. Baumvol IJR, Stedile FC, Rigo S, Ganem JJ, Trimaille I, Battistig G, L'Hoir A, Schulte WH, Becker HW
    Degradation of very thin gate dielectrics for MOS structures due to through-oxide ion implantation
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 96:(1-2) pp. 92-98. (1995)
    Független idéző: 1 Összesen: 1
  143. Battistig G, Amsel G, Trimaille I, Ganem J -J, Rigo S, Stedile F C, Baumvol I J R, Schulte W H, Becker H W
    High resolution low energy resonance depth profiling of <sup>18</sup>O in near surface isotopic tracing studies
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 85:(1-4) pp. 326-330. (1994)
    Független idéző: 6 Függő idéző: 10 Összesen: 16
  144. Battistig G, Amsel G, d Artemare E, L Hoir A
    Multiple scattering induced resolution limits in grazing incidence resonance depth profiling
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 85:(1-4) pp. 572-578. (1994)
    Független idéző: 6 Függő idéző: 5 Összesen: 11
  145. GYULAY J, PASZTI F, LOHNER T, BATTISTIG G
    ION-BEAM ANALYSIS - PROCEEDINGS OF THE 11TH INTERNATIONAL-CONFERENCE ON ION-BEAM ANALYSIS BALATONFURED, HUNGARY, JULY 5-9, 1993 - PREFACE
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 85:(1-4) pp. R7-R8. (1994)
    Független idéző: 1 Összesen: 1
  146. Stedile F C, Baumvol I J R, Ganem J -J, Rigo S, Trimaille I, Battistig G, Schulte W H, Becker H W
    IBA study of the growth mechanisms of very thin silicon oxide films: the effect of wafer cleaning
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 85:(1-4) pp. 248-254. (1994)
    Független idéző: 5 Függő idéző: 11 Összesen: 16
  147. Ganem J -J, Battistig G, Rigo S, Trimaille I
    A study of the initial stages of the oxidation of silicon using <sup>18</sup>O<sub>2</sub> and RTP
    APPLIED SURFACE SCIENCE 65-66:(C) pp. 647-653. (1993)
    Független idéző: 15 Függő idéző: 5 Összesen: 20
  148. Schulte W, Ebbing H, Becker H, Berheide M, Buschmann M, Angulo C, Rolfs C, Amsel G, Trimaille I, Battistig G, Mitchell G, Schweitzer J
    High resolution depth profiling in near-surface regions of solids by narrow nuclear reaction resonances below 0.5 MeV with low energy spread proton beams
    VACUUM 44:(3-4) pp. 185-190. (1993)
    Független idéző: 1 Függő idéző: 9 Összesen: 10
  149. AMSEL G, GIRARD E, VIZKELETHY G, BATTISTIG G, GIRARD Y, SZILAGYI E
    HIGH PULSE-RATE AND PILEUP HANDLING IN PRECISION RBS
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 64:(1-4) pp. 811-816. (1992)
    Független idéző: 10 Függő idéző: 3 Összesen: 13
  150. Battistig G, Amsel G, d'Artemare E, Vickridge I
    A very narrow resonance in 18O(p,a)15N near 150 keV; Application to isotopic tracing; II. High resolution depth profiling of 18O
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 66:(1-2) pp. 1-10. (1992)
    Független idéző: 21 Függő idéző: 24 Összesen: 45
  151. Peto G, Zsoldos E, Molnar G, Battistig G
    CuO Surface Segregation on Yba2Cu3O7 Layers
    In: Twelfth International Vacuum Congress Eighth International Conference on Solid Surfaces: IVC-12/ICSS-8 . Konferencia helye, ideje: Hague, Hollandia, 1992.10.12 -1992.10.16. p. 214.
  152. Zimmermann H, Khanh N Q, Battistig G, Gyulai J, Ryssel H
    PAIRING OF NOBLE-METALS WITH PHOSPHORUS
    APPLIED PHYSICS LETTERS 60:(6) pp. 748-750. (1992)
    Független idéző: 5 Összesen: 5
  153. Battistig G, Amsel G, d Artemare E, Vickridge I
    A very narrow resonance in 18O(p, α)15N near 150 keV: Application to isotopic tracing. I. Resonance width measurement
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 61:(4) pp. 369-376. (1991)
    Független idéző: 20 Függő idéző: 27 Összesen: 47
  154. AN D K, Madl K, Barna A, Battistig G, Gyulai J
    THE SIMULTANEOUS DIFFUSION OF GOLD AND BORON INTO SILICON - PUSH EFFECT OF GOLD TO BORON
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 116:(2) pp. 561-569. (1989)
    Független idéző: 3 Összesen: 3
  155. Lysenko V S, Nazarov A N, Zaritskii I M, Serfozo G, Battistig G, Gyulai J, Dozsa L
    RF PLASMA MODIFICATION OF HEAVILY DESTROYED ION-IMPLANTED SUBSURFACE SILICON LAYERS
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 115:(1) pp. 75-80. (1989)
    Független idéző: 3 Összesen: 3
  156. Khanh NQ, Fried M, Battistig G, Laczik Z, Lohner T, Jaroli E, Schiller V, Gyulai J
    Ellipsometric and ion backscattering measurements of the properties of Silicon-On-Insulator structure formed by thermally activated redistribution of high-dose ion implanted nitrogen
    PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH 108:(1) pp. K35-K40. (1988)
    Független idéző: 4 Függő idéző: 3 Összesen: 7
  157. G Serfözö, R Naujokaitis, I Krafcsik, L Dozsa, G Battistig, P Riedl, E Klopfer, N N Gerasimenko, J Gyulai
    Pulsed ion implantation of silicon with selenium
    In: HENNIG K (szerk.)
    EPM 87: ENERGY PULSE AND PARTICLE BEAM MODIFICATION OF MATERIALS: PHYSICAL RESEARCH . Konferencia helye, ideje: Dresden, Németország, 1988.09.07 -1988.09.11. Berlin: Akademie Verlag, 1988. pp. 74-79. 
    (ISBN:3-05-500540-6)
    Független idéző: 1 Összesen: 1
  158. SZABO G, JUHASZ Z, KESZEI B, GOSZTONYI L, VANLIK J, BATTISTIG G, SANDOR S
    GROWTH-PROPERTIES OF YBA2CU3O7 SINGLE-CRYSTALS
    PHYSICA C - SUPERCONDUCTIVITY AND ITS APPLICATIONS 153-155:(Part 1) pp. 415-416. (1988)
  159. Battistig G, Bodocs L, Daroczi C, Gerocs I, Gyulai J, Fried M, Jaroli E, Kadar G, Lohner T, Molnar G, Peto G, Serfozo G, Zsoldos E
    Silicides and Implanted Thin Films
    In: Keszthelyi L (szerk.)
    KFKI Yearbook . Budapest: KFKI, 1987. p. 134.
  160. Battistig G, Kennedy E F, Revesz P, Gyulai J, Kadar G, Gyimesi J, Drozdy G, Vizkelethy G
    STUDY OF RADIATION-DAMAGE IN AN ION-IMPLANTED RARE-EARTH IRON-GARNET CRYSTAL
    NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS 15:(1-6) pp. 372-374. (1986)
    Független idéző: 10 Függő idéző: 1 Összesen: 11
  161. Mezey G, Kotai E, Revesz P, Manuaba A, Lohner T, Gyulai J, Fried M, Vizkelethy G, Paszti F, Battistig G, Somogyi M
    ENHANCED SENSITIVITY OF OXYGEN DETECTION OF 3.045 MEV (ALPHA, ALPHA) ELASTIC-SCATTERING AND ITS APPLICATIONS
    ACTA PHYSICA HUNGARICA 58:(1-2) pp. 39-55. (1985)
    Független idéző: 3 Összesen: 3
  162. Battistig Gábor
    Ionimplantált buboréktárolók - Generációváltás
    MŰSZAKI ÉLET XXXVII:(5) p. 4. (1982)